Framleiðandi Vöru númer:
IPI032N06N3 G
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI032N06N3 G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12803633
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI032N06N3 G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
188W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI032N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000451490
IPI032N06N3G
IPI032N06N3 G-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDI030N06
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FDI030N06-DG
Einingaverð
2.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
PSMN2R0-60ES,127
FRAMLEIÐANDI
NXP Semiconductors
Fjöldi í boði
7334
HLUTARNÁMR
PSMN2R0-60ES,127-DG
Einingaverð
1.30
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IRFSL3206PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1600
HLUTARNÁMR
IRFSL3206PBF-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IRF5803D2TR
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
IRF7401TRPBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
